Δωρεές 15 Σεπτεμβρίου 2024 – 1 Οκτωβρίου 2024 Σχετικά με συγκέντρωση χρημάτων

Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor...

Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices

Chinmay K. Maiti
5.0 / 0
0 comments
Πόσο σας άρεσε αυτό το βιβλίο;
Ποια είναι η ποιότητα του ληφθέντος αρχείου;
Κατεβάστε το βιβλίο για να αξιολογήσετε την ποιότητά του
Ποια είναι η ποιότητα των ληφθέντων αρχείων;
Anticipating a limit to the continuous miniaturization (More-Moore), intense research efforts are being made to co-integrate various functionalities (More-than-Moore) in a single chip. Currently, strain engineering is the main technique used to enhance the performance of advanced semiconductor devices. Written from an engineering applications standpoint, this book encompasses broad areas of semiconductor devices involving the design, simulation, and analysis of Si, heterostructure silicongermanium (SiGe), and III-N compound semiconductor devices. The book provides the background and physical insight needed to understand the new and future developments in the technology CAD (TCAD) design at the nanoscale.
Κατηγορίες:
Έτος:
2021
Έκδοση:
1
Εκδότης:
CRC Press
Γλώσσα:
english
Σελίδες:
260
ISBN 10:
0367519291
ISBN 13:
9780367519292
Αρχείο:
PDF, 37.69 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 2021
Διαβάστε online
Η μετατροπή σε βρίσκεται σε εξέλιξη
Η μετατροπή σε απέτυχε

Φράσεις κλειδιά